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    Intel押注EUV工藝 爭取首發下代高NA光刻機

    2021-07-27 16:13:27來源:快科技

    Intel這幾年在工藝進度上落后跟10nm、7nm工藝多次跳票有關,而新工藝延期也跟Intel此前不考慮EUV工藝有關,所以10nm工藝才上了四重曝光,導致良率上不去,遲遲無法量產。

    Intel之前認為EUV工藝不夠成熟,現在EUV光刻工藝已經量產幾年了,Intel也開始跟進了,原先的7nm工藝、現在的Intel 4工藝會是全面使用EUV光刻機的開始,首款產品是Meteor Lake流星湖,2023年發布。

    之后的Intel 3工藝、Intel 20A工藝上也會持續利用EUV工藝,進一步提升性能及能效。

    再往后Intel還會積極跟進EUV技術發展,2025年之后的工藝已經規劃到了Intel 18A,將使用第二代RibbonFET晶體管,EUV光刻機也會有一次重大升級。

    Intel表示致力于定義、構建和部署下一代High-NA EUV,有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。

    Intel目前正與ASML密切合作,確保這一行業突破性技術取得成功,超越當前一代EUV。

    這就意味著Intel很有可能首發下一代EUV光刻機,NA數值孔徑從目前的0.33提升到0.5,這是ASML的NXE:5000系列,之前預計是在2023年問世,現在推遲到了2025-2026年,單臺售價預計將超過3億美元,差不多人民幣20億一臺。

    Intel為了超越臺積電、三星重返半導體技術一哥,現在可以說是拼了老命了,對玩家來說這倒是好事,以往的帶頭大哥回來了。

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