<s id="pw6rw"><strike id="pw6rw"><input id="pw6rw"></input></strike></s>
  1. <rp id="pw6rw"></rp>
    首頁>科技 > 正文

    Intel正式發布史上最詳細工藝和封裝技術路線圖

    2021-07-28 16:15:18來源:快科技

    今天,Intel發布了公司有史以來最詳細的制程工藝和封裝技術路線圖,展示了一系列底層技術創新。

    除了公布其近十多年來首個全新晶體管架構RibbonFET 和業界首個全新的背面電能傳輸網絡PowerVia之外,Intel還重點介紹了迅速采用下一代極紫外光刻(EUV)技術的計劃,即高數值孔徑(High-NA)EUV。

    據悉,Intel有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。

    Intel CEO帕特·基辛格表示,基于Intel在先進封裝領域毋庸置疑的領先性,我們正在加快制程工藝創新的路線圖,以確保到2025年制程性能再度領先業界。

    Intel正利用我們無可比擬的持續創新的動力,實現從晶體管到系統層面的全面技術進步。在窮盡元素周期表之前,我們將堅持不懈地追尋摩爾定律的腳步,并持續利用硅的神奇力量不斷推進創新。

    Intel技術專家詳述了以下路線圖,其中包含新的節點命名和實現每個制程節點的創新技術:

    基于FinFET晶體管優化,Intel 7與Intel 10nm SuperFin相比,每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產品將會采Intel 7工藝,之后是面向數據中心的Sapphire Rapids預計將于2022年第一季度投產。

    Intel 4完全采用EUV光刻技術,可使用超短波長的光,刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進,Intel 4將在2022年下半年投產,并于2023年出貨,這些產品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數據中心的Granite Rapids。

    Intel 3憑借FinFET的進一步優化和在更多工序中增加對EUV使用,較之Intel 4將在每瓦性能上實現約18%的提升,在芯片面積上也會有額外改進。Intel 3將于2023年下半年開始用于相關產品生產。

    Intel 20A將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代。RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現,它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度,同時實現與多鰭結構相同的驅動電流,但占用的空間更小。

    PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡,通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。Intel 20A預計將在2024年推出。Intel也很高興能在Intel 20A制程工藝技術上,與高通公司進行合作。

    2025年及更遠的未來:從Intel 20A更進一步的Intel 18A節點也已在研發中,將于2025年初推出,它將對RibbonFET進行改進,在晶體管性能上實現又一次重大飛躍。

    Intel還致力于定義、構建和部署下一代High-NA EUV,有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。Intel正與ASML密切合作,確保這一行業突破性技術取得成功,超越當前一代EUV。

    Intel高級副總裁兼技術開發總經理Ann Kelleher博士表示:“Intel有著悠久的制程工藝基礎性創新的歷史,這些創新均驅動了行業的飛躍。我們引領了從90 nm應變硅向45 nm高K金屬柵極的過渡,并在22 nm時率先引入FinFET。憑借RibbonFET和PowerVia兩大開創性技術,Intel 20A將成為制程技術的另一個分水嶺。”

    Copyright 2015-2020   三好網  版權所有 聯系郵箱:[email protected] 違法信息舉報:[email protected] 
    天天天干日